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还在为寻找一颗既能承载大电流又拥有极低损耗的功率开关而烦恼吗？DMT3006LFVQ-7正是为您的高效设计而生。这颗30V/60A的N沟道MOSFET，凭借其低至7毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的能效表现和可靠性。

它采用紧凑的PowerDI3333-8封装，非常适合空间受限的现代电子设备。同时，它满足AEC-Q101车规标准，具备从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，让您轻松应对汽车、工业等严苛环境的应用挑战。无论是用于提升汽车电子模块的功率密度，还是优化服务器电源的转换效率，DMT3006LFVQ-7都能成为您设计中可靠而强大的核心动力。

• 型号:DMT3006LFVQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1155 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3006LFVQ-7，Diodes产品一站式供应商。