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您正在寻找一颗能扛起大电流、高效开关重任的核心功率器件吗？DMT3006LPS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达65A的连续电流承载能力，其核心魅力在于惊人的6毫欧超低导通电阻，能大幅降低导通状态下的功率损耗，直接为您带来更低的发热和更高的系统能效。

它专为严苛环境而生，通过汽车级AEC-Q101认证，从-55°C到150°C的结温范围内都能稳定工作。优化的栅极特性让开关速度更快、损耗更小，无论是用于汽车动力系统、工业电源还是高密度计算设备，都能让您的设计轻松应对效率与可靠性的双重挑战，助力产品性能脱颖而出。

• 型号:DMT3006LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT3006LPS-13，Diodes产品一站式供应商。