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还在为电源路径上的功率损耗和布局空间烦恼吗？DMT3009LDT-7双N沟道MOSFET阵列正是为您的高效、紧凑型设计而生。它集成了两个高性能的N沟道MOSFET，能轻松承载高达30A的连续电流，并以低至11.1毫欧的导通电阻，显著降低开关过程中的能量损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。

这颗芯片采用先进的V-DFN3030-8表面贴装封装，体积小巧，能极大节省您宝贵的PCB板空间，非常适合空间受限的便携设备和高度集成的电源模块。其快速的开关特性（栅极电荷仅20nC）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保它在从消费电子到工业控制的多种应用中都能提供稳定可靠的性能。选择DMT3009LDT-7，就是选择了一个能提升效率、简化设计并增强产品可靠性的强大解决方案。

• 型号:DMT3009LDT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3030-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.1 毫欧 @ 14.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:V-DFN3030-8（K 类）
• DMT3009LDT-7，Diodes产品一站式供应商。