我们为全球各个行业提供Diodes DMT3009LFVWQ-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能在汽车和工业应用中扛起大梁的高效开关而烦恼吗？DMT3009LFVWQ-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达12A的连续电流能力，其核心魅力在于超低的导通电阻，能为您大幅削减功率损耗，提升整体系统效率，让热量管理不再是难题。

它专为严苛环境而生，通过AEC-Q101车规认证，从容应对-55°C到150°C的极端温度挑战，确保您的产品在任何工况下都稳定可靠。采用先进的PowerDI3333-8封装，体积小巧且支持可润湿侧翼工艺，不仅让您的PCB布局更灵活，也显著提升了生产制造的良率与品质一致性。

无论是用于DC-DC转换、电机驱动还是负载开关，DMT3009LFVWQ-7都能以卓越的电气性能和坚固的物理特性，让您的设计更高效、产品更具竞争力。

• 型号:DMT3009LFVWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 14.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:823 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），35.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3009LFVWQ-7，Diodes产品一站式供应商。