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还在为寻找一颗既能承受高电流又具备超低损耗的MOSFET而烦恼吗？DMT3009UFVW-13正是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达30A（Tc）的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅11毫欧）和栅极电荷（7.4nC），能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，同时其优异的散热特性确保功率稳定输出。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，DMT3009UFVW-13都能让您轻松实现更高的功率密度和更优的系统性能，是提升产品能效与可靠性的关键之选。

• 型号:DMT3009UFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:894 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta），2.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3009UFVW-13，Diodes产品一站式供应商。