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还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效处理功率的MOSFET而烦恼吗？DMT3009UFVW-7正是您期待的答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达30A的脉冲电流能力，其核心魅力在于极低的11毫欧导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭从便携设备快充、负载开关到电机控制等多种应用。4.5V的低驱动电压让接口设计变得简单，而超低的栅极电荷则确保了迅猛的开关响应，完美适配高频开关需求。采用节省空间的PowerDI3333-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，为您宝贵的电路板面积减负。

选择DMT3009UFVW-7，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。它不仅能简化您的设计挑战，更能直接提升终端产品的性能表现和用户体验，是您打造下一代高性能电子设备的理想功率开关选择。

• 型号:DMT3009UFVW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），30A
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:894 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta），2.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3009UFVW-7，Diodes产品一站式供应商。