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您是否希望为紧凑型设备找到一颗既能节省空间又能扛起功率重任的“心脏”？DMT3011LDT-7正是您的理想之选。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个高性能晶体管，让您能在微型V-DFN3030-8封装内，轻松驾驭高达30V的电压和8A的连续电流，完美解决高密度设计中的功率分配难题。

它的核心价值在于让您的系统运行更高效、更凉爽。极低的20毫欧导通电阻大幅减少了功率损耗和发热，而优化的栅极电荷则确保了快速、干净的开关动作。无论是用于提升电源转换效率，还是驱动微型电机，它都能让您的设计性能脱颖而出，可靠性倍增。

• 型号:DMT3011LDT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3030-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A，10.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.9W
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:V-DFN3030-8（K 类）
• DMT3011LDT-7，Diodes产品一站式供应商。