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还在为空间与性能难以兼得而烦恼吗？DMT3020LDV-13双N沟道MOSFET阵列，正是为您的高密度、高效率应用量身打造的解决方案。它能让您在极其紧凑的PowerDI333封装内，获得高达32A的强劲电流处理能力和低至20毫欧的超低导通电阻，显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片能轻松胜任您的DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等核心电路任务。其快速的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围，确保您的设计在各种环境下都能响应迅捷、稳定可靠。选择DMT3020LDV-13，就是选择以更小的空间占用，释放更大的性能潜力，让您的产品设计脱颖而出。

• 型号:DMT3020LDV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:393pF @ 15V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• DMT3020LDV-13，Diodes产品一站式供应商。