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还在为复杂的双MOSFET布局和散热问题烦恼吗？DMT3020LDV-7为您提供一站式高效解决方案！这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个性能一致的30V/32A功率开关，其超低的20毫欧导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率轻松跃升。

它采用先进的PowerDI333封装，体积小巧却功率强劲，非常适合空间受限的现代电子设备。极低的栅极电荷确保快速开关，减少开关损耗，同时宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）赋予产品卓越的可靠性。选择它，就是为您的设计注入高效、紧凑与可靠的核心动力。

• 型号:DMT3020LDV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:393pF @ 15V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• DMT3020LDV-7，Diodes产品一站式供应商。