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还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效处理功率的MOSFET而烦恼吗？DMT3020LFDF-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和8.4A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于仅17毫欧的超低导通电阻，能大幅减少导通状态下的能量损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统效率，让您的设备运行得更冷静、更持久。

它采用先进的U-DFN2020-6微型封装，在几乎方寸之间集成了强大性能，是空间受限设计的理想选择。优化的栅极特性（Qg仅7nC）让开关速度更快、损耗更低，特别适合高频开关电源、电机驱动和负载开关等应用。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、可靠且节省空间的“能量心脏”，轻松应对各种严苛的能效挑战。

• 型号:DMT3020LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:393 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta），1.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT3020LFDF-7，Diodes产品一站式供应商。