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还在为复杂的双路开关电路布局烦恼吗？DMT3022UEV-13双N通道MOSFET阵列，就是为您简化设计、提升效率的得力助手。它将两个高性能MOSFET集成于微小的PowerDI333封装内，让您轻松实现高密度板级设计，节省宝贵空间。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅22毫欧的低导通电阻和高达17A的连续电流能力，大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。其优化的开关特性（栅极电荷仅13.9nC）让驱动设计更简单，开关速度更快，从而全面提升系统响应与能效。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的动力核心。

• 型号:DMT3022UEV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXD 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:903pF @ 15V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXD 类）
• DMT3022UEV-13，Diodes产品一站式供应商。