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还在为复杂的双MOSFET布局和散热问题烦恼吗？DMT3022UEV-7为您提供一站式高效解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借仅22毫欧的超低导通电阻和高达17A的载流能力，能显著降低您电源电路中的传导损耗，让电能转换更高效，设备运行更持久。

它集成了两个性能一致的MOSFET于微小的PowerDI333封装内，让您轻松实现高密度板级设计，同时简化布线。极低的栅极电荷和输入电容，确保了迅猛的开关响应，大幅减少开关损耗，提升系统整体能效。无论是同步整流、电机驱动还是负载开关，选择它，就是选择让您的产品在性能与体积上赢得双重优势。

• 型号:DMT3022UEV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXD 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:903pF @ 15V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXD 类）
• DMT3022UEV-7，Diodes产品一站式供应商。