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您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内，以极高效率控制大电流的开关解决方案？DMT31M6LPS-13正是您的理想之选。这颗30V/35.8A的N沟道MOSFET，凭借其低至1.35毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉爽、更持久。

它专为汽车级（AEC-Q101）和高可靠性应用设计，宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保其在严苛环境下依然稳定。其PowerDI5060-8表面贴装封装兼具优异的散热能力和小尺寸优势，让您轻松实现高功率密度设计。无论是优化开关电源的同步整流，还是提升电池管理系统的控制精度，DMT31M6LPS-13都能以卓越的性能，助您打造更高效、更可靠的产品。

• 型号:DMT31M6LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:123 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7019 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT31M6LPS-13，Diodes产品一站式供应商。