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您是否正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率、同时节省宝贵PCB空间的“核心动力”？DMT31M7LPS-13正是您的理想之选。这款N沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和高达30A（Ta）/100A（Tc）的连续电流能力，其核心魅力在于超低的1.7毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，非常适合高密度电源设计。无论是用于同步整流提升DC-DC转换器效率，还是作为电机驱动和负载开关中的关键开关元件，它都能让您轻松实现高效、可靠的功率控制。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更能确保您的产品在各种严苛环境下稳定运行。

• 型号:DMT31M7LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5741 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT31M7LPS-13，Diodes产品一站式供应商。