我们为全球各个行业提供Diodes DMT32M5LFG-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时搞定高电流与高效率的功率开关吗？DMT32M5LFG-13正是您的理想答案。这颗30V/30A的N沟道MOSFET，凭借其惊人的1.7毫欧超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的温升和更高的系统能效。

它能让您的设计事半功倍。无论是驱动电机、管理电源，还是执行快速开关，其优化的栅极电荷和开关特性都能确保迅捷响应，让整个系统运行更加流畅高效。采用坚固的PowerDI3333封装和符合汽车级AEC-Q101的标准，意味着它能在严苛的环境下稳定工作，为您产品的长期可靠性保驾护航。

• 型号:DMT32M5LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4066 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT32M5LFG-13，Diodes产品一站式供应商。