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还在为高功率应用的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？DMT32M5LPS-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V的漏源电压和高达150A的连续电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅2毫欧。这意味着它能大幅降低导通损耗，让您的电源模块、电机驱动或负载开关应用运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了电路板空间，助力您实现更紧凑的产品设计。更低的栅极电荷让开关速度更快，驱动更轻松，直接提升系统整体响应速度与能效。无论是应对工业环境的严酷考验，还是满足消费电子对能效的极致追求，DMT32M5LPS-13都能让您轻松构建出更可靠、更具竞争力的高性能解决方案。

• 型号:DMT32M5LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3944 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT32M5LPS-13，Diodes产品一站式供应商。