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还在为高电流应用中的散热和空间问题烦恼吗？让DMT34M1LPS-13来为您轻松化解。这颗高性能N沟道MOSFET就像一个高效的“电子开关”，能在30V电压下稳健控制高达100A的电流，而其超低的3.2毫欧导通电阻，能大幅减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，更能简化您的生产流程。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，DMT34M1LPS-13都能凭借其快速的开关响应和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的设备在各种环境下都表现出稳定可靠的卓越性能。

• 型号:DMT34M1LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2242 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT34M1LPS-13，Diodes产品一站式供应商。