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您是否正在寻找一颗能大幅提升电源转换效率，同时保持电路板布局简洁紧凑的核心开关器件？DMT34M2LPS-13正是为您而来的解决方案。它集成了高达25V/30V的耐压能力与极低的导通电阻，让您能够轻松驾驭21A（Ta）至100A（Tc）的宽范围连续电流，显著降低导通损耗，提升整体能效。

这颗采用先进PowerDI5060-8表面贴装封装的MOSFET，专为高功率密度应用优化。它不仅能帮助您缩小产品体积，其优异的封装散热特性更能确保系统在高温环境下稳定运行，有效延长设备寿命。无论是同步整流、电机驱动还是负载开关，选择DMT34M2LPS-13，就是为您的设计注入了高效与可靠的双重保障。

• 型号:DMT34M2LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2242 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT34M2LPS-13，Diodes产品一站式供应商。