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您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的MOSFET吗？DMT35M7LFV-7正是您的理想之选。它就像一位力量强大且动作敏捷的“电能开关”，能轻松处理高达76A的持续电流，而其核心秘诀在于仅5毫欧的超低导通电阻，能大幅减少电流通过时的能量损耗，直接为您提升系统整体能效，并简化散热设计。

这颗芯片能让您的电源转换或电机驱动方案运行得更快、更凉、更紧凑。其优化的栅极电荷和开关特性，确保了在高频工作状态下依然保持低损耗，让您能够使用更小的外围元件，实现更高功率密度的设计。无论是提升现有产品性能，还是攻克新的设计挑战，DMT35M7LFV-7都能提供强大而可靠的支持，助您轻松打造出高效、稳定的终端产品。

• 型号:DMT35M7LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):76A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1667 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.98W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT35M7LFV-7，Diodes产品一站式供应商。