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您是否正在寻找一颗能大幅提升功率转换效率、同时简化设计难度的核心开关器件？DMT36M1LPS-13正是您期待的解决方案。作为一款30V/65A的N沟道MOSFET，它凭借低至6毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片让您轻松驾驭高电流应用。其优异的栅极特性（Qg仅16.7nC）确保快速干净的开关动作，减少开关损耗，并简化驱动电路设计。采用先进的PowerDI5060-8封装，它在提供强大功率处理能力的同时，占板面积极小，完美适配对空间有严苛要求的现代紧凑型设计。

无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，DMT36M1LPS-13都能以卓越的电气性能和可靠性，助您打造出更具市场竞争力的高效能产品。

• 型号:DMT36M1LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1155 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT36M1LPS-13，Diodes产品一站式供应商。