我们为全球各个行业提供Diodes DMT4003SCT现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能扛起大电流重任的“核心开关”吗？DMT4003SCT正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和高达205A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的3毫欧导通电阻，能显著降低系统导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对服务器电源、工业变频器、大功率转换器等应用场景。优化的栅极特性支持快速开关，有助于提升系统频率和功率密度。同时，其坚固的TO-220AB封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种环境下都能稳定可靠地工作，是您构建高性能、高可靠性功率系统的理想选择。

• 型号:DMT4003SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 205A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):205A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6865 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:156W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMT4003SCT，Diodes产品一站式供应商。