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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持超小体积的功率开关？DMT4008LFV-13正是为您而来的解决方案。这颗40V N沟道MOSFET凭借其惊人的7.9毫欧超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭高达54.8A的峰值电流，并支持高频快速开关，极大减少了开关过程中的能量浪费。无论是面对严苛的工业环境还是紧凑的消费电子空间，其坚固的PowerDI3333-8封装和宽广的工作温度范围都能确保稳定可靠的性能输出。选择DMT4008LFV-13，就是为您的核心电路注入一股强劲而高效的动力。

• 型号:DMT4008LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.1A（Ta），54.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.9 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1179 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），35.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT4008LFV-13，Diodes产品一站式供应商。