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还在为功率转换效率瓶颈而烦恼吗？DMT4008LFV-7 N沟道MOSFET正是您突破限制的利器。它凭借7.9毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动方案运行得更凉、更高效，直接提升终端产品的续航与可靠性。

这颗芯片能在4.5V至10V的驱动电压下高效工作，提供高达12.1A（Ta）的连续电流能力，轻松应对严苛的负载需求。其优化的开关特性（栅极电荷仅17.1nC）与卓越的散热封装（PowerDI3333-8），让您在高频开关应用中也能实现低损耗与高功率密度，简化热管理设计。

无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高可靠性设备，选择DMT4008LFV-7，就是为您的设计注入了强劲、可靠的心脏，让性能提升变得简单而直接。

• 型号:DMT4008LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.1A（Ta），54.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.9 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1179 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），35.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT4008LFV-7，Diodes产品一站式供应商。