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还在寻找那颗能同时兼顾高功率、低损耗与超小体积的“全能型”开关吗？DMT4011LFG-13正是您期待的答案。这颗40V/30A的N沟道MOSFET，凭借其低至11毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行更凉爽、效率更高，直接助力提升终端产品的续航与性能表现。

它采用先进的PowerDI3333封装，在提供出色散热能力的同时，极大节省了电路板空间，特别适合对空间和热管理有严苛要求的汽车电子及高密度电源设计。其符合AEC-Q101标准，并拥有宽广的工作温度范围，确保在各种恶劣环境下稳定工作，让您的设计无后顾之忧。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMT4011LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:767 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:15.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT4011LFG-13，Diodes产品一站式供应商。