我们为全球各个行业提供Diodes DMT4011LSS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能在狭小空间内扛起大电流、低损耗重任的功率开关而烦恼吗？DMT4011LSS-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有40V的耐压和高达10.8A的连续电流能力，其核心魅力在于仅11.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它专为简化您的设计而生。4.5V的低驱动电压使其易于被主流控制器驱动，而极低的栅极电荷确保了迅猛的开关速度，有效减少开关损耗。采用紧凑的SO-8表面贴装封装，它不仅节省宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能保障系统在-55°C至150°C的严苛温度下稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了可靠的性能与卓越的能效基石。

• 型号:DMT4011LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:829 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.31W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT4011LSS-13，Diodes产品一站式供应商。