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还在为电源转换效率不高、器件发热严重而烦恼吗？DMT43M8LFV-13正是为您而来的高效能N沟道MOSFET。它能轻松驾驭高达87A的连续电流，并以低至4毫欧的导通电阻，将功率损耗降至最低，让您的系统运行更凉爽、更持久。

这颗芯片的核心使命，就是让您的功率开关应用变得前所未有的高效与可靠。其优化的栅极特性支持快速开关，显著提升整体能效；坚固的PowerDI3333-8封装则确保了出色的散热和空间利用率。无论是提升现有设计还是开发新一代产品，它都能让您游刃有余，轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:DMT43M8LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 87A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):87A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3213 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT43M8LFV-13，Diodes产品一站式供应商。