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还在寻找能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？DMT47M2LDV-13双N沟道MOSFET阵列正是为您而来的解决方案。它拥有40V的耐压和高达30.2A（Tc）的电流处理能力，而其核心优势在于极低的10.8毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现紧凑而强大的电路设计。其快速的开关特性（低栅极电荷）和优异的导热封装（POWERDI333），确保在高频工作和严苛温度下（-55°C至150°C）依然稳定可靠。无论是提升能效、缩小体积还是增强可靠性，DMT47M2LDV-13都是助您优化产品性能、赢得市场的得力伙伴。

• 型号:DMT47M2LDV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A（Ta），30.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.34W（Ta），14.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• DMT47M2LDV-13，Diodes产品一站式供应商。