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还在为电路板上的空间和散热发愁吗？DMT47M2LDV-7双N沟道MOSFET阵列正是为您的高效紧凑型设计而来。它集成了两个性能强劲的MOSFET通道，凭借仅10.8毫欧的超低导通电阻和高达30.2A的电流处理能力，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉快、更节能。

这颗芯片采用先进的PowerDI333（8-PowerVDFN）封装，在极致节省PCB面积的同时，提供了卓越的散热性能。其低至14nC的栅极电荷和高达40V的漏源电压，确保开关速度快、驱动简单且安全可靠。无论是用于同步整流、DC-DC转换还是电机控制，DMT47M2LDV-7都能让您轻松实现高效率、高功率密度的设计目标，助力您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:DMT47M2LDV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.9A（Ta），30.2A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.34W（Ta），14.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• DMT47M2LDV-7，Diodes产品一站式供应商。