我们为全球各个行业提供Diodes DMT47M2SFVW-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能显著提升电源转换效率、同时保持设计紧凑的“核心动力”吗？DMT47M2SFVW-13正是您期待的答案。这颗40V N沟道MOSFET拥有惊人的7.5毫欧超低导通电阻，能极大降低开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的温升和更高的整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

得益于其优化的栅极电荷和电容特性，它能实现干净利落的快速开关，让您轻松设计出更高频率、更小体积的电源模块。无论是处理持续的15.4A（Ta）电流，还是应对高达49.1A（Tc）的峰值需求，它都能稳定可靠地工作。其先进的PowerDI3333-8封装在节省宝贵PCB空间的同时，提供了卓越的热管理能力，确保性能在-55°C至150°C的严苛温度范围内始终如一。

• 型号:DMT47M2SFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.4A（Ta），49.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:897 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.67W（Ta），27.1W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT47M2SFVW-13，Diodes产品一站式供应商。