还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMT47M2SFVW-7就是您期待的答案。这颗N沟道功率MOSFET凭借其革命性的7.5毫欧超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或电源管理系统运行得更凉、更高效、更持久。
它能在40V电压下轻松驾驭高达49.1A的连续电流，并结合PowerDI3333-8封装出色的散热能力，确保在高负载下依然稳定可靠。更低的栅极电荷意味着更快的开关响应，让您轻松实现高频高效的设计目标，全面提升终端产品的性能与市场竞争力。
- 型号:DMT47M2SFVW-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.4A（Ta），49.1A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:897 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.67W（Ta），27.1W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMT47M2SFVW-7，Diodes产品一站式供应商。
