还在为寻找一颗既能承受大电流、又具备超低导通损耗的可靠MOSFET而烦恼吗？DMT47M2SFVWQ-13正是为您量身打造的解决方案。这颗40V N沟道功率MOSFET，拥有低至7.5毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统整体效率，让您的电源或电机驱动设计更加节能、冷静。
它能让您轻松应对严苛环境。通过AEC-Q101车规认证，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在汽车电子或工业应用中的高可靠性。同时，其优化的栅极电荷和快速开关特性，让您能够设计出更高频率、更紧凑的电源拓扑，高效实现功率转换与控制。
- 型号:DMT47M2SFVWQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.4A（Ta），49.1A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:897 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.67W（Ta），27.1W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMT47M2SFVWQ-13，Diodes产品一站式供应商。
