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您正在寻找一颗能同时征服效率、尺寸和可靠性的功率开关吗？DMT47M2SFVWQ-7正是您的理想之选。这颗40V N沟道MOSFET拥有惊人的7.5毫欧超低导通电阻，能大幅降低传导损耗，让您的电源设计轻松实现更高的效率和更低的温升。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在极小空间内提供了卓越的散热性能（27.1W @Tc）。结合其汽车级（AEC-Q101）品质和宽达-55°C至150°C的工作结温，它能让您的汽车电子、工业电源或计算设备在面对严苛环境时依然稳定高效，助您轻松打造出更具市场竞争力的高性能产品。

• 型号:DMT47M2SFVWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.4A（Ta），49.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:897 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.67W（Ta），27.1W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT47M2SFVWQ-7，Diodes产品一站式供应商。