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还在为寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关而烦恼吗？DMT6004SCT就是您期待的答案。这颗由Diodes Incorporated打造的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和惊人的100A连续电流处理能力，其核心魅力在于低至3.65毫欧的导通电阻，能大幅降低导通损耗，直接为您提升系统能效，让电能利用更加充分。

它专为 demanding 应用而设计。无论是构建高效的同步整流电路、驱动强劲的电机，还是打造紧凑型高功率密度电源，DMT6004SCT都能让您游刃有余。其优化的开关特性（低栅极电荷）有助于减少开关损耗，提升频率响应；同时，宽广的工作温度范围和TO-220-3封装带来的出色散热能力，确保了它在各种严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是选择了一份让设计更简单、让性能更出众的可靠保障。

• 型号:DMT6004SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.65 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMT6004SCT，Diodes产品一站式供应商。