我们为全球各个行业提供Diodes DMT6005LCT现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否希望为您的电源管理或电机驱动应用找到一颗动力澎湃且高效可靠的“开关”？DMT6005LCT正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和高达100A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它采用坚固的TO-220AB封装，散热性能优异，并满足汽车级AEC-Q101标准，确保从-55°C到150°C的极端温度范围内稳定工作。无论是简化您的驱动电路设计，还是提升整体系统的功率密度与可靠性，DMT6005LCT都能让您轻松应对挑战，高效实现设计目标。

• 型号:DMT6005LCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2962 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMT6005LCT，Diodes产品一站式供应商。