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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低且开关迅猛的功率开关吗？DMT6005LFG-7 N沟道MOSFET正是为您的高要求应用而生。它凭借仅4.1毫欧的超低导通电阻，让您在大电流路径上最大限度地减少能量损耗和发热，直接提升系统整体效率。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达60V电压和100A（Tc）的电流，无论是进行高效的DC-DC转换，还是驱动电机负载，都游刃有余。其优化的栅极特性确保了快速干净的开关动作，帮助您实现更高频率的电源设计，从而缩小外围元件尺寸。结合其坚固的PowerDI3333-8封装和宽广的工作温度范围，它为您提供的不仅是一个组件，更是一个高效、可靠且节省空间的解决方案核心。

• 型号:DMT6005LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3150 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.98W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6005LFG-7，Diodes产品一站式供应商。