您是否希望为您的汽车或工业电源设计找到一颗既强悍又可靠的“心脏”?DMT6005LPS-13正是您期待的答案。这颗N通道MOSFET拥有60V耐压和高达17.9A的连续电流能力,其核心魅力在于极低的导通电阻(仅4.9毫欧),能显著降低开关和传导损耗,让您的系统运行更高效、更凉爽。
它采用先进的PowerDI5060-8封装,在节省宝贵电路板空间的同时,提供了出色的散热性能。更关键的是,它符合AEC-Q101汽车级标准,能在-55°C至150°C的严酷温度范围内稳定工作,为您产品的长期可靠性保驾护航。选择它,就是选择了一份让设计更轻松、让性能更出众的保障。
- 型号:DMT6005LPS-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI5060-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.9A(Ta),100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.9 毫欧 @ 50A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):47.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2962 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.6W(Ta),125W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerDI5060-8
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- DMT6005LPS-13,Diodes产品一站式供应商。