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还在为功率转换效率难以提升而烦恼吗？DMT6006SPS-13正是为您破解这一难题的利器。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，拥有60V的耐压和极低的6.2mΩ导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对高达98A（Tc）的持续电流挑战，其优异的散热性能（最大耗散功率89.3W）和PowerDI5060-8封装，确保了在高功率密度设计中的稳定性和可靠性。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发新一代紧凑型高功率设备，选择它，就是为您的项目注入了强劲而可靠的核心动力。

• 型号:DMT6006SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.2A（Ta），98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2mOhm @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1721 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.45W（Ta），89.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT6006SPS-13，Diodes产品一站式供应商。