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您是否正在寻找一颗能扛起高功率重任，同时又能保持冷静与高效的开关器件？DMT6007LFG-13正是您的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和15A连续电流能力，其最引人注目的特点是低至6毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉快、更省电。

它专为高性能场景优化，其低栅极电荷和输入电容让开关速度更快、驱动更轻松，非常适合高频开关电源、同步整流和电机控制。采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，既能节省电路板空间，又具备出色的散热性能。选择DMT6007LFG-13，就是为您的产品选择了可靠的心脏，轻松实现高效、紧凑且稳健的功率设计。

• 型号:DMT6007LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6007LFG-13，Diodes产品一站式供应商。