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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的功率开关吗？DMT6007LFGQ-7正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和15A的连续电流能力，其核心魅力在于仅6毫欧的超低导通电阻，能大幅降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比显著提升。

它采用车规级工艺制造，符合AEC-Q101标准，确保在-55°C至150°C的极端温度下依然稳定工作。其优化的栅极电荷（仅41.3nC）和低至4.5V的驱动门槛，让您能够轻松搭配各类控制器，简化电路设计，加速产品上市。无论是用于汽车电机控制、LED照明驱动，还是工业电源转换，它都能以卓越的性能和坚固的可靠性，成为您设计中值得信赖的核心动力部件。

• 型号:DMT6007LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6007LFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。