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您是否正在寻找一颗能显著提升系统效率、同时保持高可靠性的功率开关解决方案？DMT6008LFG-13正是为此而生。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达13A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的7.5毫欧导通电阻，能大幅减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用优化的设计，栅极电荷和输入电容表现优异，这意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频应用场景。无论是用于DC-DC转换器、电机控制还是负载开关，它都能让您轻松实现更高的功率密度和更卓越的系统性能。其坚固的PowerDI3333-8封装确保了出色的散热能力，宽泛的工作温度范围则提供了在各种环境下稳定运行的信心。

• 型号:DMT6008LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2713 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6008LFG-13，Diodes产品一站式供应商。