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还在寻找那颗能兼顾高性能与高可靠性的“核心开关”吗？DMT6008LFG-7 N沟道MOSFET就是为您而来的解决方案。它能让您轻松驾驭高达60V的电压和13A的连续电流，其低至7.5毫欧的导通电阻，意味着更少的能量以热量形式浪费，直接为您带来更高的系统效率和更简洁的散热设计。

这颗芯片专为要求严苛的功率管理应用而生。无论是快速切换的DC-DC转换器，还是需要承受冲击电流的电机驱动，其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）都能确保稳定、高效的运行。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的动力核心。

• 型号:DMT6008LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2713 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6008LFG-7，Diodes产品一站式供应商。