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还在寻找那颗能平衡性能、效率与成本的“全能型”功率开关吗？DMT6009LFG-7 N沟道MOSFET就是您期待的答案。它能为您做什么？它能让您的电源转换和电机控制应用运行得更“冷静”、更高效。

凭借仅10毫欧的超低导通电阻（@10V, 13.5A），它能大幅降低导通损耗，将更多电能用于驱动负载，而非产生热量。高达60V的耐压和34A（Tc）的电流能力，让您在设计时拥有充足的余量，轻松应对各种浪涌和峰值电流挑战。其优化的栅极电荷（33.5nC @10V）确保了快速、干净的开关动作，进一步提升系统整体效率。

无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，DMT6009LFG-7都能以卓越的电气性能和PowerDI3333封装带来的出色散热能力，助您构建更可靠、更紧凑、更具竞争力的终端产品。

• 型号:DMT6009LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.08W（Ta），19.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6009LFG-7，Diodes产品一站式供应商。