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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMT6010LFG-7 N沟道MOSFET正是为您的高效设计而来。它能在高达60V的电压下，承载30A（Tc）的强大电流，而其核心的7.5毫欧超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统能效，减少发热困扰。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其优化的栅极电荷和开关特性，确保在高频应用中依然保持快速、干净的开关动作，让您轻松应对同步整流、电机驱动和各类DC-DC转换拓扑。采用坚固的PowerDI3333-8封装，在提供出色散热性能的同时，节省宝贵的电路板空间，助您打造更紧凑、更可靠的下一代电源产品。

• 型号:DMT6010LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6010LFG-7，Diodes产品一站式供应商。