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还在寻找那颗能平衡性能、效率与成本的MOSFET吗？DMT6010LSS-13正是为您而来的答案。它集60V耐压、14A持续电流能力于一身，凭借低至8毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源转换效率，让系统运行更凉爽、更节能。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关设计焕然一新。优异的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现高速切换，减少开关损耗；宽广的工作温度范围则确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与可靠并重的保障。

• 型号:DMT6010LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T\\u0026R 2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT6010LSS-13，Diodes产品一站式供应商。