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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMT6012LFV-7正是您期待的答案。这颗60V/43.3A的N沟道MOSFET，凭借仅12毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，同时减少发热，提升系统可靠性。

它拥有优异的开关特性，低至4.5V的驱动门槛让您轻松搭配各类控制器，简化设计。采用紧凑的PowerDI3333-8封装，在节省宝贵板级空间的同时，其强大的散热能力确保在高功率输出下依然稳定工作。无论是提升能效、缩小体积还是增强耐用性，DMT6012LFV-7都是助您打造高性能、高竞争力产品的得力伙伴。

• 型号:DMT6012LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):43.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1522 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.95W（Ta），33.78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6012LFV-7，Diodes产品一站式供应商。