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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMT6012LSS-13正是您期待的答案。这颗60V、10.4A的N沟道MOSFET，凭借其低至11毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统效率，让设备运行更凉爽、更持久。

它为您带来的是前所未有的控制体验。4.5V的低驱动门槛让它可以轻松被主流控制器驾驭，而优化的栅极电荷则确保了快速、干净的开关动作。无论是用于电机驱动、DC-DC转换，还是作为高效的负载开关，它都能让您的设计在性能和可靠性上脱颖而出，轻松应对各种挑战。

• 型号:DMT6012LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1522 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT6012LSS-13，Diodes产品一站式供应商。