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还在为功率转换效率难以提升而困扰吗？DMT6013LSS-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和10A持续电流的强大处理能力，其核心魅力在于超低的导通电阻在10A电流下仅14.3毫欧，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它专为追求性能的设计而生。极低的栅极电荷支持高速开关，轻松应对高频应用场景；宽广的-55°C至150°C工作结温范围，则赋予了产品卓越的环境适应性。无论是空间紧凑的消费电子，还是要求严苛的工业设备，采用标准8-SO封装的DMT6013LSS-13都能让您轻松集成，快速实现从设计到量产的高效跨越。

• 型号:DMT6013LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.3 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1081 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT6013LSS-13，Diodes产品一站式供应商。