我们为全球各个行业提供Diodes DMT6015LFV-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？DMT6015LFV-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和高达35A（Tc）的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅16mΩ），能显著降低开关损耗和发热，让您的电源设计轻松实现更高的转换效率。

它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或同步整流电路运行得更冷静、更迅捷。低至18.9nC的栅极电荷确保了快速的开关速度，减少驱动损耗，而PowerDI3333-8的紧凑封装则为您节省宝贵的电路板空间。无论是面对严苛的工业环境还是追求续航的消费电子，它宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）都能提供稳定保障，助您高效打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMT6015LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1103 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT6015LFV-13，Diodes产品一站式供应商。