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还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？DMT6015LPS-13 N沟道MOSFET专为攻克此难题而生。它凭借低至16毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的能量损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效，让热量更少，性能更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达60V电压和31A电流的严苛应用，无论是服务器电源、工业变频器还是紧凑型DC-DC模块，都能稳定可靠地作为核心开关。其优化的栅极特性支持快速切换，帮助您设计出更高频率、更小体积的解决方案。选择DMT6015LPS-13，就是选择了一条通往更高性能、更优可靠性的高效路径。

• 型号:DMT6015LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），31A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1103 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.16W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT6015LPS-13，Diodes产品一站式供应商。