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还在为寻找一颗既能扛大电流、又拥有超低损耗的MOSFET而烦恼吗？DMT6015LSS-13正是为您的高效设计而来！这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和9.2A的连续电流能力，其核心魅力在于惊人的16毫欧超低导通电阻，能大幅减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它采用易于焊接的8-SO表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间。更令人惊喜的是，它在低至4.5V的驱动电压下就能发挥出色性能，并具备极快的开关速度，让您轻松优化系统能效和响应时间。选择DMT6015LSS-13，就是为您的产品选择了一份可靠的性能与效率保障。

• 型号:DMT6015LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.9 nC @ 30 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1103 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT6015LSS-13，Diodes产品一站式供应商。